美光在摩根大通科技峰會上表示，受AI強勁需求驅動，HBM、DRAM及NAND的供應緊張局面預計將持續至2026年以後。
供應擴張面臨性能提升收窄、晶粒尺寸增大及EUV爬坡制約等結構性瓶頸，即便廠商全力推進產能建設，短期內仍難以填補AI帶來的供給缺口。
AI算力軍備競賽正將全球存儲芯片市場推向多年期的供應緊缺狀態。
$美光科技 (MU.US)$管理層在摩根大通年度科技峰會上表示，HBM、DRAM及NAND存儲芯片的供應緊張局面預計將遠遠超出2026年，核心驅動力源自人工智能應用對高性能存儲的強勁需求，而供應端受制於技術瓶頸難以快速擴產。
摩根大通在隨後發佈的投資報告中援引上述觀點，並表示該行在聽取美光管理層陳述後，對AI存儲市場的多年牛市邏輯更具信心。供需缺口短期內難以逆轉，這對存儲行業投資者構成了明確信號。
供應擴張面臨結構性制約
據摩根大通報告，$美光科技 (MU.US)$指出存儲市場供應緊張的成因具有結構性特徵，並非單純的產能週期問題。
具體而言，供給增長受限主要來自兩方面：一方面，新一代存儲芯片的性能提升幅度正逐步收窄，意味着僅靠技術迭代來擴大有效供給的空間已明顯壓縮。
另一方面，新一代HBM芯片的晶粒尺寸持續增大，導致單位晶圓產出的芯片數量下降，進一步削弱了供給彈性。此外，極紫外（EUV）光刻技術的引入雖有助於提升先進製程DRAM的製造精度，但同時也在產能爬坡速度與成本方面形成了新的約束。
上述因素疊加之下，即便存儲廠商積極擴產，短期內仍難以快速填補AI需求所催生的供給缺口。
HBM4量產提速，1-gamma節點成歷史最高產量節點
在產品進展方面，$美光科技 (MU.US)$披露了若干關鍵信息。
美光管理層表示，受AI應用需求強勁拉動，公司1-gamma製程節點預計將成爲其有史以來單位晶圓產出量最高的DRAM節點。HBM存儲芯片通過將多層DRAM模塊垂直堆疊封裝而成，廣泛應用於AI GPU，美光正持續將EUV光刻工藝整合至1-gamma節點的量產流程中。
在HBM產品迭代節奏上，美光透露HBM4的量產爬坡速度是HBM3的兩倍。下一代HBM4E產品的量產爬坡預計於2027年啓動，首批樣品將採用基於1-gamma節點生產的DRAM模塊。
AI推理需求擴張，帶動SSD市場份額提升
除HBM與DRAM外，美光還指出AI工作負載的演變正在爲其固態硬盤（SSD）業務創造新的增長機遇。
美光管理層表示，AI上下文窗口的持續擴大以及推理工作負載的快速增長，推動了對大容量、高性能存儲的需求，公司藉此在SSD市場實現了份額提升。
值得注意的是，美光強調其策略並非提供標準化現貨產品，而是與客戶深度協作，針對具體應用場景定製開發存儲解決方案，這一模式有助於鞏固客戶粘性並提升產品溢價空間。
編輯/melody