①這一時點比原計劃更早；②三星電子已開始向主要全球客戶交付業內首批12層48GB HBM4E樣品；③業內人士預計，今年下半年，三星與SK海力士之間的供應競爭將進一步加劇；
《科創板日報》6月13日訊（編輯 宋子喬） 繼三星電子交付全球首批HBM4E樣品後，SK海力士也有望加速交付進度。
據韓媒報道，據業內人士12日透露，SK海力士正準備向主要客戶提供HBM4E樣品，最早可能在本月（6月）開始發貨，最遲下個月也將開始。
這一時點比原計劃更早。SK海力士此前在第一季度業績電話會議上表示「內部計劃在下半年提供樣品」。
業內人士認爲，考慮到HBM4E計劃於明年量產，客戶驗證和優化工作必須在今年下半年進行，因此樣品供應指日可待。
HBM（高帶寬存儲器）是AI加速芯片的核心配套部件，其帶寬與容量直接決定AI訓練與推理的效率。當前，HBM市場由三星、SK海力士和美光主導，SK海力士爲當前HBM市場的份額領導者。
HBM4E是第七代HBM，預計SK海力士的HBM4E將被用於英偉達的下一代AI加速器「Rubin Ultra」中，Rubin Ultra計劃於明年發佈。6月2日，黃仁勳參觀了在中國臺灣舉行的2026年臺北國際電腦展SK海力士展位，並在HBM4E晶圓上留言：「請多生產一些。」
據悉，SK海力士將在其HBM4E核心芯片上採用1c納米工藝，基礎裸片則由台積電採用3納米工藝生產。SK集團董事長崔泰元在臺北國際電腦展上表示：「只要客戶準備好了，我們就隨時準備就緒。」他還補充道：「目前，我們只有一家HBM4E客戶。」
在HBM市場，樣品交付的時機至關重要。由於下一代HBM是根據客戶的具體要求定製生產的，更快的樣品交付速度可以讓客戶更快地驗證性能並完成優化，從而在最終的量產競賽中佔據優勢。
5月29日，三星電子宣佈，已開始向主要全球客戶交付業內首批12層48GB HBM4E樣品。在完成初步樣品交付和優化後，三星計劃根據客戶的進度安排開始批量生產HBM4E。
一位業內人士表示：“對於HBM而言，不僅性能至關重要，出貨時間和客戶認證等進度安排也至關重要。”他補充道：“今年下半年，兩家公司（三星與SK海力士）之間的供應競爭將進一步加劇。”
另外，美光的HBM4產能爬坡進展順利，計劃於2027年量產HBM4E，消息稱其HBM4E將採用10納米級第六代1γ工藝，這是美光首次在量產工藝中引入EUV光刻設備，基礎裸片將委託台積電製造。
TrendForce此前指出，上述三大供應商正逐步將產業重心由良率競爭轉向定價權與下世代規格主導，雖傳統DRAM利潤率短期反超HBM，供貨商仍維持均衡產品組合，並看好HBM長期合約價走高，橫向對比來看，當前除HBM以外的各類DDR及消費級存儲，歷經前期多輪漲價後價格已整體處於相對高位，而HBM的漲價紅利尚未充分釋放。
編輯/jayden