「AI需求可見度」延伸至2028年！美銀美林：存儲在此之前不會「供過於求」，半導體設備將大幅增長

芯片股剛剛經歷了一場「地震」，美銀美林卻在這個時間點發布了一份極度看多半導體的報告。

6月23日，就在全球芯片股遭遇重挫的同一天——費城半導體指數單日暴跌7.9%，美光科技跌13%，韓國KOSPI指數觸發熔斷——美銀美林Vivek Arya等分析師發佈題爲《美國半導體行業現狀：上調預測，AI將能見度延伸至2028年》的報告。

報告判斷：AI對芯片的需求可見度已經延伸至2028年，存儲在此之前不會出現供給過剩，而半導體設備支出將在2028年迎來一個大年。

半導體行業將在五年內再增1萬億美元收入

芯片行業用了約50年才實現第一個1萬億美元的年銷售額。但該行的框架提到，AI有望幫助行業在未來五年內再增加1萬億美元。

數字層面，全球半導體市場總規模預測從此前的2.3萬億美元上調至2.7萬億美元（2030年），對應2025-2030年複合增長率28%。

2026年是爆發之年：預計半導體總銷售額同比增長103%，其中存儲芯片增速更高達298%——DRAM預計增長309%，NAND增長295%。

驅動這一增長的五大主題：

1. AI數據中心繫統市場：預計2030年達到約1.7萬億美元，從2025年的約2730億美元起步

2. 存儲芯片的強勁與持久性：長期供貨協議（LTA）提供2-3年的供需和定價能見度，美光與Anthropic的合作是近期案例

3. 半導體設備/先進封裝/EDA：受益於供應協議延伸和芯片複雜度提升

4. 模擬芯片：受益於AI帶來的電力需求上升

5. 服務器CPU：Agentic AI帶來約1700億美元的服務器市場機會

存儲芯片：2028年前不會「供過於求」

分析師判斷，DRAM和NAND的供需比（sufficiency ratio）在預測期內始終維持在110%以上，不會出現歷史上那種供給嚴重過剩的局面。價格方面，預計2026年全年DRAM和NAND現貨/合約價格保持強勁，2027年之前不會出現季度環比下跌。

爲什麼供給彈性這麼低？原因是多方面的：

• 資本支出主要用於建廠房，而非買設備。美光（Micron）指引其2026財年資本支出超過250億美元（2025財年爲138億美元），但大部分增量用於建設潔淨室廠房。真正能產出芯片的設備投入要到2028年才會大規模落地。

• 建潔淨室和擴產能是兩件事。前者花錢多、週期長，後者才真正影響供給。這意味着，2026-2027年的大量資本開支，實質上是在爲2028年的產能擴張鋪路。

• 美光愛達荷州新廠預計2027年中開始首批產出，2028年才進入量產爬坡；新加坡HBM先進封裝廠預計2027年開始貢獻，2028年全面投產。

• 地緣政治、封裝產能、電力限制也在制約供給擴張速度。

HBM（高帶寬內存）是存儲芯片中最受關注的品種。預計HBM市場規模將從2025年的約350億美元增長至2030年的約2460億美元，複合增長率34%。每個AI加速器搭載的HBM容量預計從2025年的約187GB增長至2030年的約464GB，增長率18%。

英偉達最新的Vera Rubin系統，每個加速器需要288GB的HBM4內存。

半導體設備：2028年支出將突破2500億美元

晶圓製造/半導體設備支出（WFE）的預測是本次報告另一個重大上調。

2028年半導體設備（WFE）支出預測從此前的2030億美元大幅上調23%至2500億美元（同比增長32%）。2027年預測也從1830億美元上調至1900億美元（同比+31%）。

整體來看，WFE在2025-2030年的複合增速預計達到20%。

爲什麼是2028年？三個關鍵驅動因素：

第一，潔淨室產能在2028年前後大規模釋放。 現在大量資本支出用於建廠房，設備採購會在廠房建好後集中落地。

第二，技術節點切換帶來設備強度提升。 2nm全環繞柵極（GAA）工藝在2026-2028年加速量產，新工藝初期良率低、設備利用率低，單位晶圓的設備投入反而更高。High-NA EUV光刻機的導入也是重要推手。

第三，存儲芯片的技術升級。 HBM從HBM3升級到HBM4/5，層數更多、封裝更復雜；NAND從300層向400層遷移，都需要更多設備投入。

測算顯示，如果按歷史規律推算每片晶圓對應的設備投入增長，2027年隱含WFE約爲1930億美元，2028年約爲2450億美元，與1900億/2500億的預測高度吻合。

值得注意的是，有一個指標會讓人產生誤判：WFE佔半導體銷售額的比例（WFE intensity）將從歷史正常水平的中十幾個百分點下降到約11%。但這主要是因爲存儲芯片價格暴漲導致分母（銷售額）急劇膨脹，並不代表設備需求在萎縮。更有意義的指標是每片晶圓對應的設備投入，這個數字在持續上升。

HBM：從350億美元到2460億美元

HBM是這輪存儲超級週期的核心驅動力。

預測顯示，HBM市場規模將從2025年的約350億美元增至2030年的約2460億美元，複合增速34%。每顆AI加速器搭載的HBM容量，預計從2025年的187GB增至2030年的464GB，複合增速18%。

英偉達最新的Vera Rubin系統（2026年下半年推出）每顆加速器搭載288GB HBM4——這個數字本身就說明了方向。

HBM的價格預測：2027-2028年約爲17.5美元/GB，高於2026年的14.3美元/GB。

基於上述行業綜合判斷，該行分析師對多隻半導體股票目標價進行了大幅上調，並將估值基準年從2027年切換至2028年：

存儲芯片方面，分析師將美光目標價從950美元上調至1500美元，維持買入。半導體設備，應用材料目標價從540美元上調至720美元，MKS儀器等多家公司目標價也被上調。AI基礎設施芯片方面，看好Marvell、Credo、英特爾等。

消費電子和智能手機：AI盛宴中的局外人

並非所有細分市場都在分享AI紅利。

智能手機芯片預計2026年同比下滑13%，PC芯片下滑9%，消費電子整體下滑7%。這些市場面臨的是出貨量下滑的結構性壓力，與AI數據中心的爆發形成鮮明對比。

汽車和工業市場則處於溫和復甦階段：汽車芯片預計2026年增長4%，工業芯片增長18%，主要受益於庫存消化完畢後的需求回補，以及單車芯片含量的持續提升。