$鎧俠 (285A.JP)$以新一代閃存芯片亮相AI數據中心市場，疊加CEO強硬表態，提振市場信心，股價上演深V逆轉。
鎧俠控股週四宣佈，已開始向AI數據中心客戶送樣其第十代BiCS FLASH 3D NAND芯片，並計劃於2027年在日本北上工廠啓動量產。這是該公司迄今技術規格最高的閃存產品，存儲密度較上一代旗艦產品提升約60%，數據傳輸速率達4.8Gbps，較前代提速約30%。
$鎧俠 (285A.JP)$首席執行官Hiroo Ota在媒體發佈活動上明確表示，"我們沒有看到數據中心需求減弱的跡象"，並稱公司將"堅定回應市場增長"，暗示不排除進一步增加資本支出。這一表態直接回應了市場對AI存儲需求能否持續的疑慮。
Hiroo Ota在發佈會上進一步指出，隨着AI智能體的興起以及AI技術在機器人等領域的應用普及，閃存市場的擴張空間將進一步打開。
受新品發佈與CEO強硬喊話雙重催化，鎧俠股價當日上演深V行情——盤中一度重挫逾12%，隨後強勢反轉，截止發稿漲幅擴大至近10%。鎧俠股價今年累計漲幅已超過680%，市值躍升至日本上市公司前列。
第十代芯片：技術路線差異化，劍指超大規模數據中心
據彭博報道，$鎧俠 (285A.JP)$此次送樣的BiCS 10芯片採用332層堆疊架構，搭載該公司自主研發的CBA（CMOS直接鍵合陣列）技術，單顆容量爲1Tb TLC存儲器件，將用於固態硬盤產品。
值得關注的是，鎧俠在層數選擇上刻意與競爭對手形成差異。據EE Times Japan報道，鎧俠存儲業務部門總經理Atsushi Inoue指出，當堆疊層數超過400層時，讀寫操作中激活的存儲層增多，功耗反而上升；同時，更薄的存儲單元層可能降低電荷保持能力，影響長期可靠性。
鎧俠方面表示，332層設計相較400層以上方案，每GB成本可降低約10%，功耗效率提升約10%，存儲單元可靠性提高約35%。CBA技術的持續應用則使鎧俠在接口速度上保持領先——該技術自第八代引入以來，已將接口速率從3.6Gbps提升至4.8Gbps，據EE Times Japan估計，這一優勢令鎧俠在技術進程上領先競爭對手約一年。
BiCS 10將在鎧俠位於日本巖手縣北上工廠的第二座晶圓廠投產，該廠已於去年9月正式投入運營。
市場份額承壓，數據中心是突圍關鍵
儘管技術實力獲得認可，$鎧俠 (285A.JP)$在數據中心NAND市場的份額仍明顯落後於韓國對手。據市場研究機構Omdia分析師Akira Minamikawa估計，2025年三星電子在數據中心閃存市場佔據約40%份額，SK海力士約30%，鎧俠僅約10%。
韓國廠商的優勢在於能夠將NAND存儲芯片與高帶寬內存（HBM）捆綁銷售，藉助HBM業務建立的銷售渠道向超大規模數據中心客戶一站式供貨。鎧俠目前不具備HBM產品線，這在一定程度上制約了其在數據中心市場的滲透。
不過，Minamikawa對鎧俠的技術競爭力給予正面評價。"鎧俠的NAND芯片在數據處理速度方面明顯優於競爭對手，而這正是美國超大規模數據中心最看重的指標，"他表示，"第十代芯片在這方面實現了重大突破，競爭力非常強。"
韓國對手加速擴產，行業競爭格局趨緊
$鎧俠 (285A.JP)$推進新品的同時，韓國競爭對手正在加速佈局產能。據韓國朝鮮Biz報道，$SK海力士 (000660.KR)$於7月2日宣佈計劃在清州投資總計100萬億韓元，其中80萬億韓元將用於M17 NAND生產設施。SK海力士CEO Kwak Noh-jung表示，NAND需求正在快速增長而供給仍然偏緊，M17工廠建設計劃於明年啓動，目標於2029年上半年投入運營。
與此同時，據The Bell今年4月報道，三星電子也計劃在其平澤園區P5工廠新建NAND生產線，潔淨室預計明年完工。若計劃落實，這將是三星自P3工廠以來首次大規模擴充NAND產能。
三大廠商同步擴產，令市場對未來供需平衡及價格走勢的擔憂有所升溫。這也是鎧俠股價此前承壓的重要背景之一。