阿斯麥將2026年全年淨銷售額預期上調至430億至450億歐元，較此前360億至400億歐元的區間大幅提升。阿斯麥披露，英特爾已在美國俄勒岡州工廠正式將High NA EUV設備用於部分Ultra 3（獵豹湖）處理器的量產製造。
AI芯片需求持續強勁推動訂單激增，半導體光刻設備巨頭 $阿斯麥 (ASML.US)$ 季報表現強勁，多項核心指標超越市場預期，並上調全年業績展望。
ASML第二季度淨銷售額達93.3億歐元，超出分析師平均預期的88.5億歐元；淨利潤爲29.2億歐元，亦高於市場預期的26.4億歐元。毛利率錄得54%，同樣優於預期的52%。
基於強勁的業績勢頭，ASMl將2026年全年淨銷售額預期區間從此前的360億至400億歐元大幅上調至430億至450億歐元，毛利率指引亦從51%至53%提升至54%至56%。公司預計三季度淨銷售額將達110億至120億歐元，中值遠高於彭博分析師一致預期的102.7億歐元，毛利率指引區間爲55%至57%。
公司表示，計劃在2026年約65台低數值孔徑低NA EUV設備產能的基礎上，於2027年增加約30%，並正在研究2028年再增加30%的可能性。與此同時，ASML披露，英特爾已在美國俄勒岡州工廠正式將High NA EUV設備用於部分Ultra 3（獵豹湖）處理器的量產製造。
業績全線超預期，第三季度指引再超預期
阿斯麥第二季度業績在多項關鍵指標上均超越市場預期。淨銷售額93.3億歐元較預估高出約5.4%，服務及現場運營銷售額亦達27.6億歐元，高於預估的24.9億歐元。毛利率54%超預期2個百分點，淨利潤29.2億歐元超預估約10.6%。
就第三季度指引而言，公司預計淨銷售額爲110億至120億歐元，遠高於市場預期的102.7億歐元；毛利率預計在55%至57%之間。
全年展望方面，阿斯麥將淨銷售額上限從400億歐元提升至450億歐元，區間下限亦從360億歐元抬高至430億歐元，調整幅度之大在業內引發廣泛關注。阿斯麥首席執行官Christophe Fouquet在業績聲明中表示："基於當前業務勢頭，我們正計劃在2026年約65台低數值孔徑EUV產能的基礎上，2027年增加30%的產能，並正在研究2028年再進一步增加30%。"公司同時宣佈，下一屆資本市場日將於2027年6月10日舉行，屆時將就市場與技術動態更新長期展望。
AI基礎設施投資浪潮是核心驅動力
阿斯麥此前已於一季度上調過全年指引，其背後的核心驅動力在於客戶持續擴大AI芯片產能。阿斯麥的EUV光刻機是全球唯一能夠執行生產最先進AI芯片所需光刻工藝的設備，由此構成其不可替代的核心競爭力。
阿斯麥最大客戶之一臺積電（TSMC）本週早些時候公佈的數據亦印證了這一需求趨勢——台積電6月銷售額同比大增68%，受益於旗下芯片的強勁需求。據路透社報道，台積電還計劃在中國臺灣南部嘉義科學園區新增兩座先進封裝廠。
瑞銀分析師在7月10日的研究報告中指出，半導體晶圓廠的產能建設，以及AI驅動的先進製程芯片需求，預計將推動阿斯麥下半年表現持續走強。
英特爾採用High NA EUV，關鍵設備商業化邁出重要一步
阿斯麥與英特爾聯合聲明稱，英特爾已在俄勒岡州工廠利用阿斯麥EXE High NA EUV設備製造部分Ultra 3（獵豹湖）筆記本處理器，具體採用該設備處理芯片的特定製造層，以積累數據並優化設備性能。英特爾在18A製造工藝中同時使用標準EUV及High NA EUV設備。
High NA EUV設備單台價格約4億美元，約爲標準EUV機臺的兩倍，且技術導入難度較高。英特爾早在2024年即在希爾斯伯勒研發基地接收了全球首臺High NA設備，並率先安裝了更接近量產版本的機型，此次系在此基礎上正式推進至量產應用。
英特爾芯片製造部門執行副總裁兼總經理Naga Chandrasekaran在聯合聲明中表示："這一里程碑體現了英特爾與阿斯麥之間緊密的技術合作，展示了High NA EUV如何在先進半導體制造中實現規模化集成。"
台積電此前曾公開表示，最新一代阿斯麥設備成本過高，無法用於大規模量產，將推遲轉向該技術的時間節點。英特爾此次採用舉措，在一定程度上有助於緩解市場對High NA EUV商業化前景的疑慮，對阿斯麥推廣該產品線具有積極的示範效應。
產能擴張路線明確至2028年
強勁的需求促使阿斯麥加速擴充產能規劃。公司表示，計劃在2026年約65台低數值孔徑EUV設備產能的基礎上，於2027年增加約30%，並正在研究2028年再增加30%的可能性。
這一產能擴張路徑表明，阿斯麥對半導體設備需求的持續性持樂觀判斷，並正爲未來幾年可能進一步提速的技術迭代週期預留供給空間。
編輯/lambor