據媒體DIGITIMES報道，三星、美光、SK海力士的DRAM及HBM 2027年全年產能已全數分配完畢，NAND Flash產能亦基本預售一空。此前SK集團預警2027年將面臨史上最嚴重供需失衡。儘管價格漲幅料較2026年趨緩，但"價格高位常態化"已成新常態，未提前鎖倉者將面臨無貨可買困境。
三大DRAM原廠2027年全年產能已提前售罄，AI浪潮正將存儲市場推入前所未有的結構性短缺週期。
8月4日，據媒體DIGITIMES援引業界人士透露， $三星電子 (005930.KR)$ 、 $美光科技 (MU.US)$ 及 $SK海力士 (000660.KR)$ 的DRAM與高帶寬存儲器（HBM）2027年產能已全數分配完畢，涵蓋長期協議大客戶及中小型買家。
與此同時，三星電子、美光、 $閃迪 (SNDK.US)$ 的NAND Flash全年產能亦已預售一空， $鎧俠 (285A.JP)$ 與SK海力士預計最晚於2026年8月底前完成分配。
上述動態意味着，尚未鎖定產能的買家面臨2027年"無貨可買"的困境，而雲端服務巨擘與AI大廠的優先級持續壓縮手機及PC等消費性終端的供給空間。
不過，隨着主要產能陸續分配到位，業界預期2027年價格漲幅將較2026年趨緩，但供給緊張與終端成本壓力短期內難以實質緩解。
AI需求主導分配格局
AI浪潮是此輪產能告罄的核心驅動力。各大原廠近期已陸續與大客戶簽訂3至5年期長期供貨協議（LTA），將存儲市場從傳統商品週期拉入長期賣方市場格局。
威剛董事長陳立白證實，三大原廠2027年產能早已售罄，HBM與AI服務器相關應用將佔據DRAM產能約七成。
在總產能受限的情況下，原廠優先滿足雲端服務（CSP）及AI大廠需求，直接壓縮手機及PC廠商的配額。
業界估計，原廠實際可提供的產能通常僅達買方原定目標的六至七成，手機及PC廠商2027年能取得的DRAM配額，預計將較2026年明顯減少。
SK集團會長崔泰源近期表示，2027年AI半導體需求可望較2026年大增60%至100%，整體儲存需求增幅估達50%至60%，供需缺口恐持續擴大，2027年將面臨史上最嚴重的短缺與供需失衡。
NAND供需逆轉存疑，企業級需求支撐延續
相較於DRAM，NAND Flash市場供應商較多，買方仍存在一定的談判空間。
外界對2027年NAND供需逆轉持有疑慮，認爲新產能陸續釋放疊加消費需求疲弱，2027年下半年供需或趨於寬鬆，價格壓力隨之升高。
然而業界人士對此看法持保留態度。
相關業者指出，2027年企業級固態硬盤（SSD）需求仍強，供給緊缺有望延續至2028年，原廠擴產評估不宜過於樂觀。
陳立白亦指出，企業級儲存需求強勁，帶動NAND Flash與硬盤市場供給同步趨緊。
訂金模式取代傳統下單
此輪產能分配模式出現結構性轉變。
據報道援引供應鏈人士透露，面對2026年產能供不應求局面持續蔓延，多家雲端服務巨擘與品牌廠商不惜代價爭搶產能，各大廠商紛紛提前鎖定未來產能，並配合原廠推行的預付訂金模式完成交易。
所謂產能分配，涵蓋範圍不限於簽署長期協議的大客戶，也包括2026年已獲產能分配、但原廠未必願意簽訂長約的中小型買家。各家原廠將經內部協調後，通知相應的產能額度。
業界人士指出，部分廠商對7月至8月是產能分配關鍵窗口期一事仍不知情，"大家都不宣揚，就是怕太多人進來，結果自己分少了。"
價格高位常態化，漲幅料趨緩
儘管供給持續吃緊，價格軌跡卻可能與2026年有所不同。
業界普遍認爲，由於主要產能已基本分配到位，DRAM與NAND的最終價格將待接近實際出貨期時才進一步確定，2027年的價格漲幅有望較2026年的倍數式暴漲趨於溫和。
然而，"價格高位常態化"將成爲新常態。
存儲原廠手握產能分配大權，預計仍將強勢維持市場報價走升，整體市場供給緊張與終端成本壓力短期內難以實質緩解。
對於尚未完成產能鎖定的廠商而言，被迫接受更高價格採購，或在供給上陷入被動，將是2027年面臨的主要風險。
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