爲緩解供應鏈壓力，英偉達悄然下調HBM4帶寬指標，並將12層堆疊降級至8層混配。此番「降維」操作意在大幅壓降成本，同時變相放寬供應商門檻，HBM產能瓶頸有望藉此破局。
$英偉達 (NVDA.US)$ 正對其下一代AI加速器平台的內存架構進行重大調整，涉及堆疊規格降級與帶寬指標下修兩條並行主線，折射出高帶寬內存供應鏈的深層壓力與成本優化邏輯。
據ZDNet報道，三星和SK海力士正準備於2027年第二季度向英偉達Rubin Ultra供應8層HBM4，此舉意味着原定採用12層HBM4E的方案或將生變。與此同時，據Wccftech報道，英偉達早在去年9月便已悄然下調Vera Rubin平台的HBM4帶寬規格——每顆Rubin GPU的帶寬削減約13%，HGX Rubin NVL8系統層面降幅則高達26%。
上述調整對HBM供應商及GPU產業鏈均具直接影響。帶寬門檻下調意味着更多HBM4產品有望通過英偉達資質認證，潛在供貨來源擴大；而8層配置的引入則將降低每組HBM堆棧的成本與物料清單負擔，在HBM供應持續偏緊的背景下，有望緩解產能瓶頸。
Rubin Ultra捨棄12層方案，轉向8層HBM4混配
據ZDNet報道，8層HBM4原本並不在英偉達的規劃之列，但隨着公司重新審視Rubin Ultra的內存配置，相關討論在2026年第三季度逐漸升溫。報道指出，Rubin Ultra原計劃依賴12層HBM4E，但最終產品可能轉而採用8層HBM4與HBM4E的混合方案，以緩解12層堆疊因熱管理挑戰和良率偏低所帶來的供應制約。
ZDNet援引知情人士消息稱，英偉達預計將視機架配置不同，在基於Rubin Ultra的NVL機架級系統中同時部署8層HBM4和8層HBM4E。值得注意的是，儘管三星和SK海力士均已完成英偉達對12層HBM4的資質認證，其8層產品仍需單獨通過認證流程。
TrendForce分析指出，與12層HBM模組相比，8層配置所使用的DRAM芯片數量更少，可同時降低每組堆疊成本及GPU整體物料清單成本，並能以相同的HBM位輸出支撐更多GPU。鑑於HBM供應持續偏緊，8層方案預計將成爲2027年衆多GPU及ASIC廠商的優先評估選項。
ZDNet報道還顯示，12層HBM4雖仍是2026年的主流配置，但8層HBM4的採用率預計將從2027年中期起大幅攀升。此趨勢或不止於英偉達——Economy Tribune援引大信證券分析稱，Anthropic自研AI芯片亦可能採用8層HBM4，三星或將同時承接該項目的晶圓代工與內存供貨。
帶寬指標靜默下修，合格供應商範圍有望擴大
在帶寬規格調整方面，據Wccftech報道，英偉達官方規格頁面存檔於9月1日的版本顯示，Vera Rubin NVL72系統配備20.7 TB HBM4容量及1580 TB/s帶寬，Vera Rubin超級芯片單芯容量爲576 GB、帶寬44 TB/s，每顆Rubin GPU對應288 GB及22 TB/s。
此後英偉達悄然下調規格：每顆GPU的HBM4帶寬從22 TB/s降至19.2 TB/s，NVLink 6吞吐量則從3.6 TB/s降至3 TB/s，降幅分別約爲13%和17%。據IT Home報道，Vera CPU的內存規格亦從固定的每芯片1.5 TB LPDDR5X調整爲"最高1.5 TB"。
Economy Tribune指出，目前三大內存廠商均已披露HBM4性能數據：三星和SK海力士的HBM4數據傳輸速率爲每引腳11.7 Gbps（三星最高可達13 Gbps），美光則超過11 Gbps，對應每組HBM4堆疊帶寬分別約爲3.0 TB/s（三星、SK海力士）和逾2.8 TB/s（美光）。
以每顆Rubin GPU集成8組36 GB HBM4堆疊計算，達到原定22 TB/s帶寬需每引腳約10.7 Gbps，而修訂後19.2 TB/s目標對應的引腳速率約爲9.4 Gbps。Economy Tribune分析稱，從理論上看，各內存廠商已披露的性能數據足以滿足英偉達原始目標；IT Home則進一步指出，降低帶寬要求後，更多HBM4產品有望獲得Rubin GPU資質認證，整體產出有望隨之提升。
編輯/Deng