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拐点已至!长鑫IPO或引爆国产半导体Capex新周期

wallstreetcn ·  9 ก.ค. 14:38

国联民生证券认为,长鑫科技IPO获通关,拟募资295亿元扩产升级,成为国产链订单兑现的催化剂。扩产潮将沿“设备、零部件、材料”三级梯队轮动释放:前道刻蚀与薄膜沉积设备最先受益,核心零部件接力放量,后周期的材料耗材则随产线投片爬坡持续兑现。

AI算力需求的结构性扩张,正在将全球存储产业推入新一轮资本开支超级周期,而$长鑫科技 (688825.SH)$的科创板IPO或将成为国产半导体产业链订单兑现的关键催化剂。

2026年5月,长鑫科技科创板IPO获上市委审议通过,拟募资295亿元,用于存储器晶圆制造量产线技术升级、DRAM技术升级及前瞻技术研发三大项目。国联民生证券薛宏伟团队在7日的研报中认为,这一节点的意义不止于单家企业的资本化——长鑫现有产能利用率已从2023年的87%攀升至2025年的约96%,产线接近满产,扩产的需求支撑充分,IPO募资落地后新一轮大规模资本开支有望重启。

资本开支的传导将沿产业链节奏逐级释放,形成设备、零部件、材料三个层次的受益梯队。国联民生证券认为,此次产业脉冲的受益顺序清晰:设备环节最先受益,零部件随整机订单接力放量,材料耗材则在产线投片爬坡后持续兑现——各环节的弹性排序与投资节奏,将成为本轮布局的核心逻辑。

AI驱动:全球存储原厂集体加码Capex

本轮存储景气与以往消费电子主导的周期存在本质区别,其核心驱动力是AI算力需求的快速扩张。

HBM对常规DRAM产能的挤出效应,是本轮供需缺口的核心机制。据TrendForce测算,三大原厂HBM晶圆投入占DRAM晶圆总投入的比重将由2025年的约18%升至2026年的约22%,2027年进一步升至约30%。由于HBM单位比特所需晶圆产能约为常规DDR5的2.5至3倍,每增加一片HBM产能即挤占数片通用DRAM产能,导致通用DRAM供给被结构性压缩。

供需缺口推动原厂集体上调资本开支。$美光科技 (MU.US)$FY2025资本开支约138亿美元,据TrendForce数据,FY2026预计超过250亿美元,同比增长超80%;$三星电子 (005930.KR)$FY2026计划总投资(含研发)超过110万亿韩元(约733亿美元),首次突破100万亿韩元,三星在财报电话会议中明确表示"2026年存储领域资本开支将显著增加";$SK海力士 (000660.KR)$FY2025资本开支约30.2万亿韩元(约256亿美元),FY2026计划同比继续大幅增加,核心项目包括清州M15X新厂产能爬坡及忠清地区人工智能数据中心建设。

TrendForce预测,AI需求将推动2026年DRAM与NAND Flash合计营收达8893亿美元,2027年进一步增至约1.28万亿美元,同比增长44%,其中DRAM增至9033亿美元,成为本轮市场扩张的核心驱动力。

Capex传导:三阶段释放,设备先行

长鑫扩产的资本开支并不会平均分配到产业链各环节,而是按照项目建设节奏逐级传导。

第一阶段为前道设备招标与采购。据经济观察报报道,长鑫2026年二季度已正式开启设备招投标,全年计划扩产5万至6万片晶圆,对应设备采购需求达50亿至60亿美元。SEMI数据显示,设备价值量通常占产线总投资的70%至80%,设备环节是整个链条中最先受益的节点。

第二阶段为核心零部件拉动。设备厂获得批量订单后,向上游传导备货需求,腔体、真空系统、射频电源、精密温控模组等核心零部件进入批量备货周期。相较整机厂商,部分核心零部件的扩产需要新增精密加工产线、完善工艺能力并完成客户验证,供给释放周期相对较长,在需求高增阶段容易形成供给瓶颈,业绩弹性有望高于设备厂商。

第三阶段为材料耗材持续释放。产线完成安装调试并进入产能爬坡阶段后,电子特气、湿电子化学品、高纯靶材、CMP抛光液等耗材需求随投片量持续放量,该环节后周期属性显著,但需求持续性强、复购属性突出。

设备先行:刻蚀与薄膜沉积构成第一梯队

在设备环节内部,国联民生证券依据单机价值量、国产化基础与客户验证进度,对各细分方向进行了排序。

刻蚀设备与薄膜沉积设备被列为第一核心梯队。刻蚀设备是存储制造中最核心的工艺设备之一,随DRAM制程持续微缩,图形转移精度与高深宽比结构加工要求持续提升;长鑫扩产将通过新增产能与技术升级双重拉动刻蚀设备需求,且存储产品批量重复制造特征使设备通过验证后订单延续性较强。国内厂商中,中微公司在CCP、ICP刻蚀方向具备较强产品基础,北方华创则在刻蚀、薄膜、热处理等前道环节形成平台化布局。薄膜沉积设备方面,随制程迭代,CVD、ALD、PVD设备重要性增强,国产厂商在部分环节已有批量基础。

CMP与清洗设备构成第二梯队,与新增产线建设高度相关,$华海清科 (688120.SH)$$盛美上海 (688082.SH)$等公司具备较强国产化基础。涂胶显影、量测检测、离子注入等环节国产化率较低,短期确定性相对偏弱,但一旦在长鑫体系实现突破,低基数带来的弹性同样值得关注。

零部件接力:供给瓶颈放大弹性

设备订单增长向上游传导,核心零部件有望呈现高于整机的业绩弹性。

半导体设备由精密机械、真空、气液输送、射频电源、温控、晶圆传输及电气控制等多个功能系统集成,零部件的精度与可靠性直接影响设备运行效率及晶圆良率。在设备需求快速上行阶段,精密加工产线扩产周期长于整机,当真空泵、传感器、精密温控装置等关键部件供应不足时,单一零部件短缺便可能成为整机交付的瓶颈。

海外供给受限将推动设备厂商加速导入本土供应商,国内零部件企业有望同时获得订单外溢机会。此外,Process Kits、腔体内衬、气体分配盘等部分零部件具备耗材属性,不仅受益于新增设备装机,也受益于存量机台维护更换,收入连续性较强。

材料后发:国产替代从中低端向高端推进

材料环节的受益节奏滞后于设备与零部件,但需求持续性最强。

据SEMI数据,全球半导体材料市场2025年已达732亿美元,其中晶圆制造材料458亿美元。从国产化进度看,细分品类分化明显:湿电子化学品推进较快,2025年半导体领域整体国产化率约50%;电子特气市场仍由外资主导,截至2025年6月,空气化工、林德集团、液化空气和太阳日酸合计占约86%,国产替代空间仍大;高端光刻胶、先进制程特气等仍高度依赖进口。

7月9日午后,港股芯片股表现强势,$芯智控股 (02166.HK)$大涨超27%,$兆易创新 (03986.HK)$涨近20%,$澜起科技 (06809.HK)$涨近18%,$中芯国际 (00981.HK)$涨近12%,$天数智芯 (09903.HK)$$云英谷科技 (03310.HK)$涨超8%,$中兴通讯 (00763.HK)$涨近8%。

港股芯片主题ETF全线爆发, $GlobalX 中国半导体 (03191.HK)$ 涨近10%, $南方科创板50 (03109.HK)$涨近8%, $易方达亚洲半导体ETF (03486.HK)$ 涨超5%。

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编辑/melody

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