SK海力士2026年Q2业绩：
营收79.3万亿韩元，环比增长 51%，同比增长256.8%；分析师预期83.85万亿韩元。
营业利润60.54万亿韩元，环比增长61%，同比增长557.2%。
毛利率83%。
市场展望与公司经营规划
市场展望总览
当前行业供给受限、需求持续旺盛；后续供给约束缓解将释放潜在需求，驱动存储市场持续增长
DRAM 全年需求增速：2026 年同比增长 20% 中段
NAND 全年需求增速：2026 年同比增长高双位数
人工智能服务器（SV）
AI 向智能自主化演进，各类服务落地，存储需求覆盖范围持续拓宽
AI 服务器算力升级，拉动 HBM、服务器 DRAM、企业级 SSD 结构性需求长期扩张
AI 模型、软件效率持续优化，降低 AI 落地门槛，带动全行业算力基础设施采购需求
全球大型科技企业 AI 业务爆发、算力缺口扩大，持续加码基础设施与存储采购
PC / 智能手机市场
短期受存储货源供给紧张影响，终端出货阶段性调整；后续供给放宽、AI 功能全面渗透后，增长动能将逐步修复
公司经营规划
长期供货协议（LTA）
已与核心客户完成约 10 份长期供货协议谈判，持续与行业头部企业推进磋商
协议定价机制区分客户、产品品类，对冲价格周期波动风险
配套保证金等金融保障条款，保障合约履约，提升中长期需求确定性
出货量指引
DRAM：2026 Q3 出货量环比提升约 10%，主推服务器 AI 存储产品
NAND：2026 Q3 出货量环比低个位数增长（含 Solidigm）；加大 321 层闪存颗粒、SSD 产品出货
产品与技术战略
HBM 高带宽内存
2026 Q2 已批量出货 HBM4，具备客户要求的高速规格、行业领先能效与成本优势；计划 2026 下半年全面爬坡扩产
上半年已向头部客户送测 1 纳米工艺 HBM4E 样品
持续巩固 HBM 行业龙头地位，在性能、稳定供货、成本三大维度构建综合竞争力
DRAM 内存
1 纳米工艺 SOCAMM2 内存模组已全面量产交付；同步优化产品矩阵匹配客户研发节奏，持续送样拓展客户群体
NAND 闪存
加速工艺迭代，重点布局大容量、高性能产品完善产品线
321 层闪存 2026 Q1 已成为公司闪存主力产能；目标 2026 年末国内工厂产能占比提升至 50%
资本开支（CapEx）：
2026 全年资本开支规模预计达40 万亿韩元区间高位；加速 M15X 产线量产，2027 年初推进龙仁 1 号晶圆厂扩产；中长期将根据客户需求、投资回报率分阶段布局 P&T7、M17 新产线及国内全新半导体产业园。
纳斯达克 ADR 上市与资本分配
2026 年 7 月 10 日于纳斯达克发行美国存托凭证（ADR）上市，创下海外企业赴美 IPO 融资规模历史新高
伴随资本开支需求提升，公司稳健财务状况可同时支撑产能扩张投资、维持财务健康、兑现股东回报；正在研究新增股东回馈方案，提升分红规模与持续性
编辑/Liam